Name: Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5406DC-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3

Artikelnummer:

SI5406DC-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Datenblätte:

1.SI5406DC-T1-GE3.pdf ···: Umweltinformationen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI5406DC-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	600mV @ 1.2mA (Min)
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	1206-8 ChipFET™
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 6.9A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.3W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.9A (Ta)
Grundproduktnummer	SI5406
SI5406DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI5406DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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