SI5406DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5406DC-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1.2mA (Min) |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.9A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI5406 |
SI5406DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI5406DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
VISHAY 1206A-8
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
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MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
2PIECE CONNECTOR, XQR SERIES
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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